ＣＶＤ装置及ＣＶＤ装置处理室的净化方法

摘要

本发明首先系关于一种用于沉积半导体层特别是三五主族半导体层之装置与方法，包括设于反应器壳体(1)内之处理室(2)及一第一调温装置(4)，一进气管(3)通入该处理室且可将处理气体连同运载气体一起导入该处理室(2)，该第一调温装置可将该处理室(2)之工作温度稳定在处理温度上，该处理气体在该处理温度下发生反应，在该反应过程中至少形成气态反应产物，其中该处理室(2)透过排气管(5)与冷阱(6)及过滤装置(7)连接。为提高同类型装置之排气系统效率，本发明建议如下：该过滤装置(7)设于该冷阱(6)上游。本发明进一步系关于一种净化该处理室之方法。