シリコンまたは類似の基板上に窒化ガリウムの厚いエピタキシャル層を形成するための方法、およびこの方法を使用して得られる層

摘要

本発明は、ＧａＮの単結晶層（３；３’、３”）を、熱膨張係数がＧａＮの熱膨張係数未満の基板（１）上に、エピタキシーを用いて形成するための方法であって、下記のステップ：（ｂ）エピタキシャル温度で緩和したＧａＮの層（３ａ）を３次元エピタキシャル成長させるステップと、（ｃ１）ＢｗＡｌｘＧａｙＩｎｚＮの中間層（４ａ）を成長させるステップ、（ｃ２）ＢｗＡｌｘＧａｙＩｎｚＮの層（３ｂ）を成長させるステップ、（ｃ３）ＢｗＡｌｘＧａｙＩｎｚＮの中間層（４ｂ）を成長させるステップであって、形成された層（３ｂ、４ａ、４ｂ）の少なくとも１つがアルミニウムおよびガリウムを含む少なくとも３元ＩＩＩ−Ｎ合金であるステップ（ｃ１）から（ｃ３）と、（ｄ）前記ＧａＮの層（３；３’、３”）を成長させるステップとを含む方法に関する。