| 摘要 |
Strahlung emittierende Halbleiterbauelemente enthalten einen ersten Basisbereich mit einem n-Typ-III–V-Halbleitermaterial, einen zweiten Basisbereich mit einem p-Typ-III–V-Halbleitermaterial und einen Mehrfachquantentopfaufbau zwischen dem ersten Basisbereich und dem zweiten Basisbereich. Der Mehrfachquantentopfaufbau umfasst wenigstens drei Quantentopfbereiche und wenigstens zwei Grenzbereiche. Eine Elektronenfehlstellen-Energiegrenze zwischen einem dritten der Quantentopfbereiche und einem zweiten der Quantentopfbereiche ist kleiner als eine Elektronenfehlstellen-Energiegrenze zwischen dem zweiten der Quantentopfbereiche und einem ersten der Quantentopfbereiche. Verfahren zum Ausbilden von derartigen Bauelementen umfassen das sequentielle epitaktische Deponieren von Schichten eines derartigen Mehrfachquantentopfaufbaus und das Auswählen einer Zusammensetzung und Konfiguration der Schichten derart, dass die Elektronenfehlstellen-Energiegrenzen über den Mehrfachquantentopfaufbau variieren. |
