| 发明名称 |
图案化低ｋ介电膜的方法;METHOD OF PATTERNING A LOW-K DIELECTRIC FILM |
| 摘要 |
本文说明了图案化低k介电膜的方法。在一实例中,在一具体实施例中,一种图案化低k介电膜的方法包括形成及图案化在一低k介电层上方之一金属氮化物遮罩层。该低k介电层系配置在一基板上方。该方法也包括利用以O2/N2/SixFy为基础之一电浆进行处理,藉以钝化该金属氮化物遮罩层。该方法也包括蚀刻该低k介电层的一部分。 |
| 申请公布号 |
TW201440144 |
申请公布日期 |
2014.10.16 |
| 申请号 |
TW103102734 |
申请日期 |
2014.01.24 |
| 申请人 |
应用材料股份有限公司 |
发明人 |
高嘉玲;康席恩Ｓ;奈马尼史林尼法斯Ｄ |
| 分类号 |
H01L21/316(2006.01);H01L21/311(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/316(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
<name>蔡坤财</name><name>李世章</name> |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 |
