形成鳍片FET器件的方法以及鳍片FET结构

摘要

本发明涉及形成鳍片FET器件的方法以及鳍片FET结构。一种鳍片FET结构，包括体半导体衬底；从体半导体衬底延伸的半导体鳍片，半导体鳍片的每一个都具有顶部和底部以便半导体鳍片的底部被掺杂并且半导体鳍片的顶部未掺杂；直接位于多个半导体鳍片下面的体半导体衬底的部分被掺杂以形成n+或者P+阱；以及在鳍片的底部之间形成的氧化物。还公开了一种用于形成鳍片FET器件的方法。

主权项

一种用于形成鳍片FET器件的方法，包括:从体半导体衬底形成多个半导体鳍片；在所述多个半导体鳍片的每一个之间形成氧化物层，所述氧化物层从所述体半导体衬底延伸且仅部分地沿每个所述半导体鳍片的侧壁向上延伸以覆盖每个所述半导体鳍片的底部，所述半导体鳍片的每一个的所述侧壁的顶部被暴露并且没有被所述氧化物层覆盖；在所述半导体鳍片的每一个的所述顶部上形成虚设隔离物；剥离所述氧化物层以暴露所述体半导体衬底和所述半导体鳍片的每一个的所述底部；沉积掺杂材料，所述掺杂材料与暴露的所述体半导体衬底和所述半导体鳍片的每一个的所述底部接触；热处理所述体半导体衬底以将掺杂剂从所述掺杂材料驱入到暴露的所述体半导体衬底和所述半导体鳍片的每一个的所述底部；剥离所述掺杂材料；沉积第二氧化物层，所述第二氧化物层与暴露的所述体半导体衬底和所述半导体鳍片的每一个的所述底部接触；以及从所述半导体鳍片的每一个剥离所述虚设隔离物。