| 发明名称 | 采用后退火工艺制备高性能钛酸锶钡热释电陶瓷的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及采用后退火工艺制备高性能钛酸锶钡热释电陶瓷的方法，将经烧结得到的钛酸锶钡陶瓷在氧气气氛下退火，退火温度为800～1250℃，退火时间为2～5小时，即可制得高性能钛酸锶钡热释电陶瓷。本发明通过在烧结制得钛酸锶钡陶瓷后对其进行后退火处理，可以制得高性能的钛酸锶钡热释电陶瓷，其介电常数高，可以达到9500以上，热释电系数高，可以达到18×10<sup>-8</sup>C/cm<sup>2</sup>K以上，且样品纯度高、性能高、均匀性好，可满足制作非制冷红外焦平面器件的要求，有效地解决了BST陶瓷难以烧结至高致密度的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN104098330A | 申请公布日期 | 2014.10.15 |
| 申请号 | CN201410350073.3 | 申请日期 | 2014.07.22 |
| 申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明人 | 毛朝梁;姚春华;曹菲;陈建和;王根水;董显林 |
| 分类号 | C04B35/468(2006.01)I;C04B35/47(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/468(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人 | 曹芳玲;郑优丽 |
| 主权项 | 一种采用后退火工艺制备高性能钛酸锶钡热释电陶瓷的方法，其特征在于，将经烧结得到的钛酸锶钡陶瓷在氧气气氛下退火，退火温度为800～1250℃，退火时间为2～5小时，即可制得高性能钛酸锶钡热释电陶瓷。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区定西路1295号 | ||