| 主权项 |
一种超级结半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1、在硅基片上成长第一种类型半导体的外延层，所述硅基片的电阻率在所述第一种类型半导体的外延层的电阻率的1/10到100倍之间； 步骤2、在所述外延层上端区域中形成第二种类型半导体的阱； 步骤3、在所述外延层中形成沟槽； 步骤4、在所述沟槽中填入第二种类型半导体的硅； 步骤5、在所述外延层上部形成栅氧化膜和栅极区； 步骤6、在所述阱中形成第一种类型半导体的源区； 步骤7、在所述栅极区和外延层上端面形成栅‑金属间介质膜； 步骤8、在所述栅‑金属间介质膜中形成接触孔； 步骤9、在所述栅‑金属间介质膜上端面和接触孔中形成表面金属膜，并形成源极和栅极； 步骤10、进行硅片背面减薄，将所述硅基片全部去除，或减薄后硅基片的保留厚度不大于5微米； 步骤11、在所述硅片背面进行第一种类型半导体杂质的注入； 步骤12、在所述硅片背面进行第一种类型半导体杂质的激活； 步骤13、在所述硅片背面形成背面金属层。 |
