| 发明名称 | 一种新型电池片的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种新型电池片的制备方法，包括清洗制绒步骤、扩散制结步骤、刻蚀并去除PSG步骤、镀膜步骤、丝网印刷步骤、烧结步骤和分检步骤，所述镀膜步骤分为两次，第一次在刻蚀并去除PSG步骤后镀一层氧化硅膜层，采用的反应气体为N<sub>2</sub>O和SiH<sub>4</sub>，气体流量分别为9000sccm和300sccm，所述氧化硅膜层的厚度为20～30nm，折射率为1.8；第二次在烧结步骤后镀氮化硅膜层，采用的反应气体为NH<sub>3</sub>和SiH<sub>4</sub>和N<sub>2</sub>，气体流量分别为7000sccm和700sccm，所述氮化硅膜层的厚度为70～80nm，折射率为2.0～2.1。本发明不仅提高了电池光电转化效率，而且使用寿命长。 | ||
| 申请公布号 | CN104103714A | 申请公布日期 | 2014.10.15 |
| 申请号 | CN201410299409.8 | 申请日期 | 2014.06.27 |
| 申请人 | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 | 发明人 | 王成;蒋方丹;金浩;郭俊华;陈康平 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人 | 吴关炳 |
| 主权项 | 一种新型电池片的制备方法，包括清洗制绒步骤、扩散制结步骤、刻蚀并去除PSG步骤、镀膜步骤、丝网印刷步骤、烧结步骤和分检步骤，其特征在于：所述镀膜步骤分为两次，第一次在刻蚀并去除PSG步骤后镀一层氧化硅膜层，采用的反应气体为N<sub>2</sub>O和SiH<sub>4</sub>，气体流量分别为9000sccm和300sccm，所述氧化硅膜层的厚度为20～30nm，折射率为1.8；第二次在烧结步骤后镀氮化硅膜层，采用的反应气体为NH<sub>3</sub>和SiH<sub>4</sub>，气体流量分别为7000sccm 和700sccm，所述氮化硅膜层的厚度为70～80nm，折射率为2.0～2.1。 | ||
| 地址 | 314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇工业区袁溪路58号 | ||