生产半导体器件的方法

摘要

本发明的目的之一是提供一种生产半导体器件的方法，所述器件厚度在90μm到200μm之间，并且在该器件的后表面上具有电极。根据本发明所生产的器件可以通过优化铝硅电极的硅浓度及其厚度来实现高合格品比例。在硅衬底的第一主表面区域中形成有表面器件结构。在研磨第二主表面以减少所述衬底厚度之后，在所述第二主表面的区域中形成有缓冲层10和集电层8。在集电层8上，形成有包含有第一层铝硅薄膜的集电电极9，所述铝硅薄膜的厚度为0.3μm到1.0μm，并且硅浓度在0.5wt％到2.0wt％之间，最好不超过1wt％。

主权项

一种半导体器件，它包括硅衬底、在硅衬底的第一主表面的范围中的前表面器件结构以及在硅衬底的第二主表面的范围中的后电极，其中所述后电极包括与形成在所述第二主表面上的集电层相接触的铝硅薄膜，所述铝硅薄膜的硅浓度在0.5wt％到2wt％的范围中时，所述铝硅薄膜的厚度在0.3μm到0.6μm的范围中，所述后电极包括在所述铝硅薄膜的表面上的缓冲金属薄膜。