薄膜晶体管及阵列基板的制造方法

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管及阵列基板的制造方法，涉及薄膜晶体管液晶显示技术领域，解决了现有底栅顶接触结构薄膜晶体管制造工艺中所使用的掩膜版套数较多，导致该薄膜晶体管制造成本较高的问题。本发明实施例在制造薄膜晶体管时，由于用于制备源/漏电极和图案化有源层的掩膜版上具有对应沟道区域的宽度小于曝光机分辨率的缝隙，通过增大曝光量，可正常形成源/漏电极；再使用该掩膜版，通过减小曝光量，可形成所需形状的有源层。由于形成源/漏电极及图案化有源层时共用一套掩膜版，因此，降低了薄膜晶体管及阵列基板的制造成本。本发明实施例主要用于制备液晶显示器或电子纸显示器。

主权项

一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：在制备薄膜晶体管的过程中，使用曝光机及掩膜版按大于正常曝光量的第一曝光量对引线层进行图案化；所述掩膜版具有可掩膜出所述源电极的源极区域、可掩膜出所述漏电极的漏极区域及所述源极区域与所述漏极区域之间的缝隙，所述缝隙对应所述薄膜晶体管的沟道区域，所述缝隙的宽度小于所述曝光机分辨率，使对应所述缝隙的第一光刻胶层完全曝光，以形成源电极及漏电极；在所述图案化后的引线层上形成半导体层；使用所述曝光机及所述掩膜版按小于所述第一曝光量的第二曝光量对所述半导体层进行图案化，使对应所述缝隙的第二光刻胶层半曝光，以形成有源层；所述正常曝光量为使所述掩膜版上正常尺寸的图案对应的光刻胶完全曝光的曝光量，所述正常尺寸的图案指该图案与其横截面的相交线中最短相交线的长度不小于所述曝光机的分辨率。