| 发明名称 | 背面照射型固体拍摄装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 根据一实施例，背面照射型固体拍摄装置包括：半导体基板，其具有第1导电型；阱区域，其配置在上述半导体基板的表面侧，且具有第1导电型；多个光电二极管，其配置在上述阱区域内，且具有第2导电型；扩散层，其配置在上述多个光电二极管之间，并向上述阱区域提供电位，且具有第1导电型；溢漏层，其配置在上述半导体基板的背面侧，且具有第2导电型；溢漏电极，其从上述半导体基板的表面侧延伸至上述溢漏层，从上述半导体基板的表面侧向上述溢漏层提供偏置电位；以及布线层，其配置在上述半导体基板的表面上。 | ||
| 申请公布号 | CN102569312B | 申请公布日期 | 2014.10.15 |
| 申请号 | CN201110316954.X | 申请日期 | 2011.10.18 |
| 申请人 | 株式会社 东芝 | 发明人 | 佐藤麻纪 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H04N5/335(2011.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 周春燕;陈海红 |
| 主权项 | 一种背面照射型固体拍摄装置，包括：半导体基板，其具有第1导电型；阱区域，其配置在上述半导体基板的表面侧，且具有第1导电型；多个光电二极管，其配置在上述阱区域内，且具有第2导电型；扩散层，其配置在上述多个光电二极管之间，并向上述阱区域提供电位，且具有第1导电型；溢漏层，其配置在上述半导体基板的背面侧，且具有第2导电型；溢漏电极，其从上述半导体基板的表面侧延伸至上述溢漏层，从上述半导体基板的表面侧向上述溢漏层提供偏置电位；以及布线层，其配置在上述半导体基板的表面上。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||