监控图形晶片栅极氧化层表面的方法

摘要

本发明的监控图形晶片栅极氧化层表面的方法，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有一栅极氧化层；探测所述栅极氧化层上多个格点的表面信息，得到所述表面信息的分布、平均值和标准偏差；以及根据所述表面信息的平均值和标准偏差，判断所述栅极氧化层的生长工艺是否稳定。所述表面信息为功函数和/或表面电势。本发明监控图形晶片栅极氧化层表面的方法，使用电学检测的方法，检测栅极氧化层表面的功函数和表面电势，检测的表面信息既可以用于栅极氧化层的日常监控，也可以用于快递筛选具备优异品质的栅极氧化层的图形晶片，弥补了传统检测方法的不足。

主权项

一种监控图形晶片栅极氧化层表面的方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有一栅极氧化层，所述半导体衬底包括N阱、P阱、输入/输出阱以及浅沟槽隔离结构，所述栅极氧化层包括一第一栅极氧化层和一第二栅极氧化层，所述第一栅极氧化层覆盖所述输入/输出阱，所述第二栅极氧化层覆盖所述N阱和所述P阱；探测所述栅极氧化层上多个格点的表面信息，得到所述表面信息的分布、平均值和标准偏差；以及根据所述表面信息的平均值和标准偏差，判断所述栅极氧化层的生长工艺是否稳定。