发明名称 |
一种设有SiN<sub>X</sub>封装保护层的柔性热膜流速传感器及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种设有SiN<sub>x</sub>封装保护层的柔性热膜流速传感器及其制备方法。该传感器包括依次沉积在聚酰亚胺基体上的Cr过渡层、Ni敏感层和SiN<sub>x</sub>封装保护层。该方法包括如下步骤:采用离子束辅助沉积的方法,在聚酰亚胺基体上依次沉积Cr过渡层、Ni敏感层和SiN<sub>x</sub>封装保护层,即得。本发明具有以下优点:(1)SiN<sub>x</sub>封装保护层能抑制水汽和氧气对柔性器件的侵蚀和氧化,显著提高了传感器的性能稳定性和使用寿命。(2)在柔性基体上连续制备敏感层和封装保护层,避免了因采用多种制备方法完成传感器的制备所造成的内部结合强度和集成度不高的缺点。(3)SiN<sub>x</sub>封装保护层使传感器的灵敏度得到了提高。 |
申请公布号 |
CN104101729A |
申请公布日期 |
2014.10.15 |
申请号 |
CN201410332052.9 |
申请日期 |
2014.07.11 |
申请人 |
清华大学 |
发明人 |
徐军;邵天敏 |
分类号 |
G01P5/10(2006.01)I |
主分类号 |
G01P5/10(2006.01)I |
代理机构 |
北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 |
代理人 |
关畅;王春霞 |
主权项 |
一种设有SiN<sub>x</sub>封装保护层的柔性热膜流速传感器,其特征在于:它包括依次沉积在聚酰亚胺基体上的Cr过渡层、Ni敏感层和SiN<sub>x</sub>封装保护层。 |
地址 |
100084 北京市海淀区100084信箱82分箱清华大学专利办公室 |