发明名称 | 多层半导体封装 | ||
摘要 | 本发明涉及一种多层半导体封装。半导体封装包括:半导体裸片,具有在第一侧的第一电极和相对第一侧的、在第二侧处的第二电极;第一引线,在半导体裸片下,并且连接到在封装的第一层处连接到的第一电极;以及第二引线,具有大于第一引线的高度并且在封装中的第一层之上的第二层处终止,该第二层对应于半导体裸片的高度。在半导体裸片和第二引线之上的单个连续平面结构的连接器在封装的相同的第二层处连接到第二电极和第二引线。 | ||
申请公布号 | CN104103617A | 申请公布日期 | 2014.10.15 |
申请号 | CN201410129154.0 | 申请日期 | 2014.04.01 |
申请人 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 发明人 | R·奥特雷姆巴;J·赫格劳尔;K·希斯;钟蔡梅 |
分类号 | H01L23/49(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/49(2006.01)I |
代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华 |
主权项 | 一种半导体封装,包括:半导体裸片,具有在第一侧处的第一电极和在与所述第一侧相对的第二侧处的第二电极;第一引线,在所述半导体裸片之下,并且在所述封装的第一层处连接到所述第一电极;第二引线,具有大于所述第一引线的高度,并且在所述封装中在所述第一层之上的第二层处终止,所述第二层对应于所述半导体裸片的高度;以及单个连续平面结构的连接器,在所述半导体裸片和所述第二引线之上,所述连接器在相同的所述第二层处连接到所述第二电极和所述第二引线两者。 | ||
地址 | 奥地利菲拉赫 |