发明名称 | 内连线结构及其形成方法 | ||
摘要 | 本发明是有关于一种内连线结构及其形成方法。该内连线结构,其包括基底、第一介电层、扩散层及导体层。第一介电层配置于基底上且具有至少一开口。扩散层配置于第一介电层的表面中。导体层配置于开口中。本发明还提供了一种内连线结构的形成方法。本发明所提出的内连线结构及其形成方法可藉由在形成导体层之前,在第一介电层的表面中形成富含电子的扩散层来有效抑制源自导体层的导体材料扩散至第一介电层中,所以可避免相邻的导体层产生桥接,且进而提升元件的元件效能及可靠度。 | ||
申请公布号 | CN104103625A | 申请公布日期 | 2014.10.15 |
申请号 | CN201310121512.9 | 申请日期 | 2013.04.09 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 薛家倩 |
分类号 | H01L23/532(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/532(2006.01)I |
代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
主权项 | 一种内连线结构,其特征在于其包括:一基底;一第一介电层,配置于该基底上且具有至少一开口;一扩散层,配置于该第一介电层的一表面中;以及一导体层,配置于该至少一开口中。 | ||
地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 |