发明名称 |
浅沟槽隔离结构的形成方法 |
摘要 |
本发明提供一种浅沟槽隔离结构的形成方法,包括:提供一半导体衬底,且在所述衬底上形成硬质掩膜层;采用刻蚀工艺在衬底中形成隔离沟槽;对硬质掩膜层进行第一次回刻,以对隔离沟槽顶端进行圆角化处理;在隔离沟槽侧壁、底部表面形成内衬层;对硬质掩膜层进行第二次回刻,以扩大硬质掩膜层开口的宽度;沉积隔离介质层充满隔离沟槽并覆盖硬质掩膜层的表面,并对隔离介质层进行平坦化工艺;采用刻蚀工艺去除硬质掩膜层,以形成浅沟槽隔离结构。本发明避免了接缝处的浅沟槽隔离结构与刻蚀溶液发生反应,进而避免在浅沟槽隔离结构与半导体衬底接缝处出现凹槽,提高所形成浅沟槽隔离结构的形貌,进而提高半导体器件的电学性能。 |
申请公布号 |
CN104103569A |
申请公布日期 |
2014.10.15 |
申请号 |
CN201410357175.8 |
申请日期 |
2014.07.25 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
鲍宇 |
分类号 |
H01L21/76(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/76(2006.01)I |
代理机构 |
上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 |
代理人 |
吴世华;林彦之 |
主权项 |
一种浅沟槽隔离结构的形成方法,其特征在于,包括:步骤S01:提供一半导体衬底,且在所述衬底上形成硬质掩膜层,所述硬质掩膜层内形成暴露出所述衬底的开口;步骤S02:采用刻蚀工艺在所述衬底中形成隔离沟槽;其中,所述隔离沟槽的底部位于所述衬底中;步骤S03:对所述硬质掩膜层进行第一次回刻,以对所述隔离沟槽顶端进行圆角化处理;步骤S04:在所述隔离沟槽侧壁、底部表面形成内衬层;步骤S05:对所述硬质掩膜层进行第二次回刻,以扩大所述硬质掩膜层开口的宽度;步骤S06:沉积隔离介质层充满所述隔离沟槽并覆盖所述硬质掩膜层的表面,并对所述隔离介质层进行平坦化工艺至剩余的硬质掩膜层的表面;步骤S07:采用刻蚀工艺去除所述硬质掩膜层,以形成浅沟槽隔离结构。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 |