| 发明名称 | 一种同步刻蚀浮栅的制作工艺 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种同步刻蚀浮栅的制作工艺，包括：在工作区上依次氧化生成隧道氧化层和沉积多晶硅并掺杂；在所述掺杂的多晶硅上沉积保护层；按照第一预设图模刻蚀所述掺杂的多晶硅形成浅绝缘沟；在所述浅绝缘沟表面沉积第一氧化物薄膜；高温氧化所述第一氧化物薄膜形成第二氧化物薄膜；在所述浅绝缘沟中填入氧化物；采用化学机械平坦化去除所述浅绝缘沟中超出所述保护层的氧化物；去除所述保护层；按照第二预设图模刻蚀所述氧化物。本发明用以化优设计工艺，简化制作过程，节约制作成本。 | ||
| 申请公布号 | CN104103507A | 申请公布日期 | 2014.10.15 |
| 申请号 | CN201310129922.8 | 申请日期 | 2013.04.15 |
| 申请人 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 发明人 | 吴楠;冯骏 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人 | 赵娟 |
| 主权项 | 一种同步刻蚀浮栅的制作工艺，其特征在于，包括：在工作区上依次氧化生成隧道氧化层和沉积多晶硅并掺杂；在所述掺杂的多晶硅上沉积保护层；按照第一预设图模刻蚀所述掺杂的多晶硅形成浅绝缘沟；在所述浅绝缘沟表面沉积第一氧化物薄膜；高温氧化所述第一氧化物薄膜形成第二氧化物薄膜；在所述浅绝缘沟中填入氧化物；采用化学机械平坦化去除所述浅绝缘沟中超出所述保护层的氧化物；去除所述保护层；按照第二预设图模刻蚀所述氧化物。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层 | ||