| 发明名称 | 掩膜层的形成方法、互连结构的形成方法和检测方法 | ||
| 摘要 | 一种掩膜层的形成方法、互连结构的形成方法和检测方法，其中，所述掩膜层的形成方法包括提供衬底；在所述衬底表面形成低温氧化物层，所述低温氧化物层表面粗糙并且吸附有形成所述低温氧化物层的反应气体；对所述低温氧化物层进行处理，驱除所述反应气体；在所述低温氧化物层表面形成光刻胶层。所述掩膜层的形成方法，可以提高所述掩膜图形的准确度，提高采用所述掩膜层为掩膜形成的互连结构的连接性能。 | ||
| 申请公布号 | CN104103500A | 申请公布日期 | 2014.10.15 |
| 申请号 | CN201310113665.9 | 申请日期 | 2013.04.02 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张京晶;陈昵 |
| 分类号 | H01L21/033(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I;G01N21/956(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/033(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种掩膜层的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底表面形成低温氧化物层，所述低温氧化物表面粗糙并且吸附有形成所述低温氧化物层的反应气体；对所述低温氧化物层进行处理，驱除所述反应气体；在所述处理后的低温氧化物层表面形成光刻胶层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||