一种扇出型方片级半导体芯片封装工艺

摘要

本发明提供了一种扇出型方片级半导体芯片封装工艺，有效保证了加工尺寸最大化，提升了产能、降低了制作成本、解决了制造过程中翘曲等因素的影响，其包括以下步骤：在承载片正背面制作对准标记；在承载片正背面贴临时键合材料；在承载片正背面贴装芯片；在承载片正背面涂覆第一类绝缘树脂；在第一类绝缘树脂上开窗，形成导通孔；沉积种子层，在种子层上面涂覆光刻胶，在光刻胶上显露出图形，在光刻胶显露出的图形区中形成电镀线路；去除电镀线路和电镀线路底部以外的种子层；涂覆第二类绝缘树脂，在第二类绝缘树脂上对应芯片开窗；去除承载片和热剥离临时键合材料，芯片上增加保护层；通过切割工艺将产品分割成多个芯片。

主权项

一种扇出型方片级半导体芯片封装工艺，其特征在于：其包括以下步骤：（1）、在承载片上正背面制作对准标记； （2）、在承载片正背面与背面覆盖临时键合材料；（3）、在承载片正背面的临时键合材料上间隔排布贴装芯片；（4）、在承载片正背面涂覆第一类绝缘树脂，第一类绝缘树脂覆盖芯片；（5）、在第一类绝缘树脂上开窗，形成导通孔，将芯片的焊盘露出；（6）、在导通孔和第一类绝缘树脂上沉积种子层，在种子层上面涂覆光刻胶，在光刻胶上显露出图形，在光刻胶显露出的图形区中形成电镀线路；（7）、去除光刻胶和光刻胶底部的种子层，保留电镀线路和电镀线路底部的种子层；（8）、在承载片正面和背面分别涂覆第二类绝缘树脂，在第二类绝缘树脂上对应芯片开窗露出电镀线路层形成焊盘；（9）、去除承载片和临时键合材料， 在芯片上面增加保护层；（10）、通过切割工艺将产品分割成多个芯片。