发明名称 |
多层陶瓷电容器及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供了一种多层陶瓷电容器及其制造方法,所述电容器包括:具有彼此面对的第一侧表面和第二侧表面以及连接第一侧表面和第二侧表面的第三末端表面和第四末端表面的陶瓷主体,在陶瓷主体中形成并且具有其一个末端暴露于第三末端表面或第四末端表面的多个内部电极,和形成的第一侧边缘部分和第二侧边缘部分,使得从第一侧表面和第二侧表面到内部电极的边缘的平均厚度为18μm或更小。本发明的电容器具有高可靠性和高电容以及提高的耐湿特性。 |
申请公布号 |
CN104103424A |
申请公布日期 |
2014.10.15 |
申请号 |
CN201310279491.3 |
申请日期 |
2013.07.04 |
申请人 |
三星电机株式会社 |
发明人 |
金亨俊 |
分类号 |
H01G4/30(2006.01)I;H01G4/002(2006.01)I;H01G4/005(2006.01)I;H01G4/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01G4/30(2006.01)I |
代理机构 |
北京润平知识产权代理有限公司 11283 |
代理人 |
王崇;刘国平 |
主权项 |
一种多层陶瓷电容器,所述电容器包括:陶瓷主体,所述陶瓷主体具有彼此面对的第一侧表面和第二侧表面以及连接所述第一侧表面和所述第二侧表面的第三末端表面和第四末端表面;多个内部电极,所述多个内部电极在所述陶瓷主体中形成,并且所述多个内部电极的一个末端暴露于所述第三末端表面或所述第四末端表面;和第一侧边缘部分和第二侧边缘部分,形成所述第一侧边缘部分和所述第二侧边缘部分使得从所述第一侧表面和所述第二侧表面到内部电极的边缘的平均厚度为18μm或更小,和其中,所述陶瓷主体包括有助于电容形成的有效层和在所述有效层的上部和下部的至少一个上提供的覆盖层,并且当在所述第一侧边缘部分和所述第二侧边缘部分中的介电晶粒的平均晶粒尺寸定义为Gw,在所述覆盖层中的介电晶粒的平均晶粒尺寸定义为Gt,和在所述有效层中的介电晶粒的平均晶粒尺寸定义为Ga时,满足Gw<Gt<Ga。 |
地址 |
韩国京畿道 |