| 发明名称 | FinFET的适应性鳍设计 | ||
| 摘要 | 一种设计标准单元的方法，包括：确定标准单元中的半导体鳍的最小鳍间距，其中，半导体鳍是FinFET的部分；以及确定在标准单元上方的底部金属层中的金属线的最小金属间距，其中，最小金属间距大于最小鳍间距。该标准单元被布置在集成电路中并且实现在半导体晶圆上。本发明还提出了一种FinFET的适应性鳍设计。 | ||
| 申请公布号 | CN102768697B | 申请公布日期 | 2014.10.15 |
| 申请号 | CN201210115587.1 | 申请日期 | 2012.04.18 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 欧宗桦;陈淑敏;苏品岱;田丽钧;刘如淦 |
| 分类号 | G06F17/50(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;房岭梅 |
| 主权项 | 一种标准单元制造方法，包括：设计标准单元，包括：确定所述标准单元中的半导体鳍的最小鳍间距，其中，所述半导体鳍是FinFET的部分；以及确定在所述标准单元上方的底部金属层中的金属线的最小金属间距，其中，所述最小金属间距大于所述最小鳍间距；以及在半导体晶圆上实现所述标准单元，其中，基于方程执行确定所述最小鳍间距的步骤和确定所述最小金属间距的步骤，并且所基于的方程为：(TN*MetP)/FP＝FN其中，TN是所述标准单元的金属轨迹数量，MetP是所述最小金属间距，FP是所述最小鳍间距，并且FN是可以由所述标准单元容纳的半导体鳍的最大数量。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||