发明名称 | 单晶双光源发光元件 | ||
摘要 | 本发明是揭露一种单晶双光源发光元件,其包含一第一磊晶层、至少一基板及一第二磊晶层。其中,该第一磊晶层包含具有n型导电型结构的一第一n型半导体层、具有多量子井结构的一第一发光层以及具有p型导电型结构的一第一p型半导体层。该基板设置于该第一磊晶层的一侧。该第二磊晶层相对应该第一磊晶层的位置设置于该基板的另一侧,包含具有n型导电型结构的一第二n型半导体层、具有多量子井结构的一第二发光层以及具有p型导电型结构的一第二p型半导体层。因此,本发明可通过该第一磊晶层及该第二磊晶层分别控制而发出单色或双色的光源。 | ||
申请公布号 | CN104103659A | 申请公布日期 | 2014.10.15 |
申请号 | CN201310141727.7 | 申请日期 | 2013.04.22 |
申请人 | 东贝光电科技股份有限公司 | 发明人 | 吴庆辉 |
分类号 | H01L27/15(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/15(2006.01)I |
代理机构 | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人 | 孙皓晨 |
主权项 | 一种单晶双光源发光元件,其特征在于,其包含:一第一磊晶层,包含具有n型导电型结构的一第一n型半导体层、具有多量子井结构的一第一发光层以及具有p型导电型结构的一第一p型半导体层,以发出一第一光源;至少一基板,设置于该第一磊晶层的一侧;以及一第二磊晶层,相对应该第一磊晶层的位置设置于该基板的另一侧,包含具有n型导电型结构的一第二n型半导体层、具有多量子井结构的一第二发光层以及具有p型导电型结构的一第二p型半导体层,以发出一第二光源。 | ||
地址 | 中国台湾新北市 |