发明名称 非接触式位置传感器,和非接触式位置传感器系统
摘要 本发明涉及改进的非接触式位置传感器和结合该非接触式位置传感器的系统。这样的非接触式位置传感器包括至少两个传感器线圈,每个传感器线圈包括限定线圈轴线的导磁芯和绕组。至少两个传感器线圈被布置成使线圈轴线基本上彼此并联。传感器的电路激励至少两个传感器线圈的每个内的预定交流电流并确定至少两个传感器线圈的每个两端的电压的高频电压分量。预定交流电流包括低频电流分量,和高频电流分量。电路通过将两个确定的电压的高频电压分量的振幅水平彼此相减以及通过比较相减结果与预定的参考图案来检测铁磁目标的位置。
申请公布号 CN104101292A 申请公布日期 2014.10.15
申请号 CN201410142709.5 申请日期 2014.04.10
申请人 泰科电子AMP有限责任公司 发明人 M.沃尔夫;M.里德
分类号 G01B7/30(2006.01)I;G01R33/02(2006.01)I 主分类号 G01B7/30(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 吴艳
主权项 用于通过外部磁场(H<sub>ext</sub>)的偏斜检测铁磁目标(20)的位置的非接触式位置传感器(100),包括:至少两个传感器线圈(1,2),每个传感器线圈包括限定一线圈轴线的导磁芯(5,6)和围绕该导磁芯(5,6)的绕组(9,10);其中所述至少两个传感器线圈(1,2)被布置成使所述线圈轴线基本上彼此并联,以及使所述至少两个传感器线圈(1,2)的每个的一端(13,14)面向一空间而使所述铁磁目标(20)相对于所述至少两个线圈轴线的每个横移;以及电路(17),用于激励所述至少两个传感器线圈(1,2)的每个内的预定交流电流(I)以及用于确定所述至少两个传感器线圈(1,2)的每个两端的电压(V<sub>1</sub>,V<sub>2</sub>)的高频电压分量(V<sub>1H</sub>,V<sub>2H</sub>);其中所述预定交流电流(I)包括设定为将所述至少两个传感器线圈(1,2)的每个激励到饱和状态的低频电流分量(I<sub>1</sub>),设定为用于测量所述至少两个传感器线圈(1,2)的每个的阻抗的高频电流分量(I<sub>2</sub>);以及其中所述电路(17)适合通过将相应的两个传感器线圈(1,2)两端的确定的两个电压(V<sub>1</sub>,V<sub>2</sub>)的高频电压分量(V<sub>1H</sub>,V<sub>2H</sub>)的振幅水平彼此相减,以及通过比较该相减结果与预定的参考图案,检测所述铁磁目标(20)的位置。
地址 德国本斯海姆