发明名称 |
超级电容器纳米线结构的聚(羧基吲哚)膜电极及其制备方法 |
摘要 |
一种超级电容器纳米线结构的聚(羧基吲哚)膜电极,包括一层基质材料和一层导电聚合物,基质材料由铜、铁、镍、碳材料中的任意一种组成,基质材料上为多孔纳米结构的聚(羧基吲哚)膜导电聚合物层,其制备方法包括电化学溶液配制和纳米线结构的聚(羧基吲哚)膜的电沉积。本发明超级电容器的纳米线结构的聚(羧基吲哚)膜电极,采用纳米线结构的导电聚(羧基吲哚)作为超级电容器电极,具有良好的充放电稳定性、高的比电容值、高的比功率和高的比能量值。 |
申请公布号 |
CN104103429A |
申请公布日期 |
2014.10.15 |
申请号 |
CN201410349332.0 |
申请日期 |
2014.07.22 |
申请人 |
江西科技师范大学 |
发明人 |
徐景坤;马秀梅;周卫强;蒋丰兴 |
分类号 |
H01G11/48(2013.01)I;H01G11/86(2013.01)I |
主分类号 |
H01G11/48(2013.01)I |
代理机构 |
南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 |
代理人 |
施秀瑾 |
主权项 |
一种超级电容器纳米线结构的聚(羧基吲哚)膜电极,包括一层基质材料和一层导电聚合物,其特征在于:基质材料由铜、铁、镍、碳材料中的任意一种;基质材料的上面是纳米线结构的聚(羧基吲哚)。 |
地址 |
330013 江西省南昌市下罗枫林大道 |