发明名称 |
消除宽带CMOS LNA电路噪声的装置和方法 |
摘要 |
本发明公开一种宽带CMOSLNA电路的噪声消除装置和方法,该装置包括一个输入级电路和两个放大器,第一放大器检测到出现在LNA输入端的噪声电压A,第一放大器将噪声电压A转化成噪声电流,输出到第二放大器的输出端,第二放大器检测到出现在输入级电路NMOS管的漏极的噪声电压B,第二放大器将其转化成噪声电流输出到LNA的输出端,选择第一放大器跨导是第二放大器跨导的函数,使得第一放大器噪声电流和第二放大器噪声电流到达LNA输出端时大小相等符号相反。两个放大器选取合适的跨导就可以让噪声电流相加后输出为零,实现噪声相消。本发明直接利用噪声在电路中的转移规律进行自相抵消,不需要加入其他额外的反馈网络器件。 |
申请公布号 |
CN104104337A |
申请公布日期 |
2014.10.15 |
申请号 |
CN201410321780.X |
申请日期 |
2014.07.04 |
申请人 |
重庆邮电大学 |
发明人 |
王巍;梁耀;赵辰;蔡文琪;袁军 |
分类号 |
H03F1/26(2006.01)I;H03F3/189(2006.01)I |
主分类号 |
H03F1/26(2006.01)I |
代理机构 |
重庆华科专利事务所 50123 |
代理人 |
康海燕 |
主权项 |
一种宽带CMOS LNA电路噪声消除装置,包括输入级电路和放大器,其特征在于,输入级电路中NMOS管M<sub>1</sub>源极作为接收射频信号的LNA输入端,漏极接负载电阻R<sub>l</sub>,负载电阻的另一端接正偏电压;放大器包括第一放大器和第二放大器,第一放大器中PMOS管M<sub>2</sub>和NMOS管M<sub>3</sub>的栅极分别通过电容122和123连接到输入级电路中NMOS管的源极,PMOS管源极接正偏电压,NMOS管M<sub>3</sub>的源极接地,PMOS管M<sub>2</sub>和NMOS管M<sub>3</sub>的漏极相互连接作为第一放大器的输出端;第二放大器的NMOS管M<sub>5</sub>源极连接第一放大器的输出端,并通过电阻和Rd接地,NMOS管M<sub>5</sub>的栅极通过电容133连接到输入级电路NMOS管M<sub>1</sub>的漏极,NMOS管M<sub>5</sub>漏极连接LNA输出端144,第一放大器跨导是第二放大器跨导的函数,在LNA输出端,第一放大器噪声电流和第二放大器噪声电流相加为零输出。 |
地址 |
400065 重庆市南岸区黄桷垭崇文路2号 |