| 发明名称 | 具有气隙的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在衬底之上形成绝缘层；在绝缘层中形成开口部；在开口部的侧壁之上形成牺牲间隔件；在开口部的下部将第一导电图案形成在牺牲间隔件之上；在第一导电图案之上形成欧姆接触层；通过去除牺牲间隔件来形成气隙；通过在欧姆接触层之上形成阻挡层来覆盖气隙；以及在阻挡层之上形成第二导电图案以填充开口部的上部。 | ||
| 申请公布号 | CN104103577A | 申请公布日期 | 2014.10.15 |
| 申请号 | CN201310422333.9 | 申请日期 | 2013.09.16 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 李孝硕;廉胜振;林成沅;洪承希;李南烈 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 俞波;周晓雨 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：在衬底之上形成绝缘层；在所述绝缘层中形成开口部；在所述开口部的侧壁之上形成牺牲间隔件；在所述开口部的下部将第一导电图案形成在所述牺牲间隔件之上；在所述第一导电图案之上形成欧姆接触层；通过去除所述牺牲间隔件来形成气隙；通过在所述欧姆接触层之上形成阻挡层来覆盖所述气隙；以及在所述阻挡层之上形成第二导电图案以填充所述开口部的上部。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||