| 发明名称 | 一种多晶硅掺杂工艺中对挡片多次处理的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种多晶硅掺杂工艺中对挡片多次处理的方法。该方法包括：在放置多晶硅产品和挡片的反应室内进行掺杂反应，其中掺杂反应为将杂质元素掺杂到多晶硅产品中的反应；在掺杂反应后，判断挡片的使用次数是否大于第一阈值；在挡片的使用次数不大于第一阈值时，用氢氟酸清洗挡片上含杂质元素的氧化硅。采用本发明实施例的方法能够大大降低挡片上杂质元素的浓度，从而减少挡片在下次使用时对多晶硅产品的间接掺杂，提高多晶硅产品的工艺稳定性；进一步还可以增加挡片的利用次数，降低经济成本。 | ||
| 申请公布号 | CN102386074B | 申请公布日期 | 2014.10.15 |
| 申请号 | CN201010270515.5 | 申请日期 | 2010.09.01 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 王冬梅 |
| 分类号 | H01L21/223(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/223(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种多晶硅掺杂工艺中对挡片多次处理的方法，其特征在于，该方法包括：在放置多晶硅产品和挡片的反应室内进行掺杂反应，其中所述掺杂反应为将杂质元素掺杂到多晶硅产品中的反应；在掺杂反应后，判断挡片的使用次数是否大于第一阈值；在挡片的使用次数不大于第一阈值时，用氢氟酸清洗挡片上含杂质元素的氧化硅；所述含杂质元素的氧化硅厚度为0.12微米～0.15微米，所述氢氟酸是稀释比为1:10的氢氟酸，清洗挡片时间为60秒；在挡片的使用次数大于第一阈值时，更换反应室内的挡片。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 | ||