发明名称 |
粉粒产生少的强磁性材料溅射靶 |
摘要 |
一种非磁性材料分散型溅射靶,其为包含Cr为20摩尔%以下、其余为Co的组成的金属的溅射靶,其特征在于,该靶组织具有在金属基质中分散有包含氧化物的非磁性材料的相(A)和含有40摩尔%以上的Co的金属相(B),所述相(A)中包含氧化物的非磁性材料粒子的面积率为50%以下,并且在假想与所述相(B)外切的面积最小的长方形的情况下,该外切的长方形的短边为2μm~300μm的相(B)的存在率为全部相(B)的90%以上。本发明得到可以抑制溅射时的粉粒产生,并且使漏磁通提高、在磁控溅射装置中可以稳定的放电的强磁性材料溅射靶。 |
申请公布号 |
CN104105812A |
申请公布日期 |
2014.10.15 |
申请号 |
CN201280023523.7 |
申请日期 |
2012.04.06 |
申请人 |
吉坤日矿日石金属株式会社 |
发明人 |
荻野真一;佐藤敦;荒川笃俊;中村祐一郎 |
分类号 |
C23C14/34(2006.01)I;C22C19/07(2006.01)I;G11B5/851(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/34(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
王海川;穆德骏 |
主权项 |
一种非磁性材料分散型溅射靶,其为包含Cr为20摩尔%以下、其余为Co的组成的金属的溅射靶,其特征在于,该靶组织具有在金属基质中分散有包含氧化物的非磁性材料的相(A)和含有40摩尔%以上的Co的金属相(B),所述相(A)中包含氧化物的非磁性材料粒子的面积率为50%以下,并且在假想与所述相(B)外切的面积最小的长方形的情况下,外切的长方形的短边为2μm~300μm的相(B)的存在率为全部相(B)的90%以上。 |
地址 |
日本东京 |