发明名称 粉粒产生少的强磁性材料溅射靶
摘要 一种非磁性材料分散型溅射靶,其为包含Cr为20摩尔%以下、其余为Co的组成的金属的溅射靶,其特征在于,该靶组织具有在金属基质中分散有包含氧化物的非磁性材料的相(A)和含有40摩尔%以上的Co的金属相(B),所述相(A)中包含氧化物的非磁性材料粒子的面积率为50%以下,并且在假想与所述相(B)外切的面积最小的长方形的情况下,该外切的长方形的短边为2μm~300μm的相(B)的存在率为全部相(B)的90%以上。本发明得到可以抑制溅射时的粉粒产生,并且使漏磁通提高、在磁控溅射装置中可以稳定的放电的强磁性材料溅射靶。
申请公布号 CN104105812A 申请公布日期 2014.10.15
申请号 CN201280023523.7 申请日期 2012.04.06
申请人 吉坤日矿日石金属株式会社 发明人 荻野真一;佐藤敦;荒川笃俊;中村祐一郎
分类号 C23C14/34(2006.01)I;C22C19/07(2006.01)I;G11B5/851(2006.01)I 主分类号 C23C14/34(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人 王海川;穆德骏
主权项 一种非磁性材料分散型溅射靶,其为包含Cr为20摩尔%以下、其余为Co的组成的金属的溅射靶,其特征在于,该靶组织具有在金属基质中分散有包含氧化物的非磁性材料的相(A)和含有40摩尔%以上的Co的金属相(B),所述相(A)中包含氧化物的非磁性材料粒子的面积率为50%以下,并且在假想与所述相(B)外切的面积最小的长方形的情况下,外切的长方形的短边为2μm~300μm的相(B)的存在率为全部相(B)的90%以上。
地址 日本东京