| 发明名称 | 一种聚合物电极的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种聚合物电极的制备方法，其中该聚合物电极不能直接制备于介质层或绝缘层的表面，该方法包括：对介质层或绝缘层表面进行图形化；在图形化了的介质层或绝缘层表面生长保护层；在该保护层表面制备聚合物电极。利用本发明所制备的聚合物电极，结构完整、稳定性好、重复率高。 | ||
| 申请公布号 | CN104103758A | 申请公布日期 | 2014.10.15 |
| 申请号 | CN201310114342.1 | 申请日期 | 2013.04.03 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 姬濯宇;郭经纬;刘明;王龙;陆丛研;王伟;李泠 |
| 分类号 | H01L51/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种聚合物电极的制备方法，其中该聚合物电极不能直接制备于介质层或绝缘层的表面，该方法包括：对介质层或绝缘层表面进行图形化；在图形化了的介质层或绝缘层表面生长保护层；在该保护层表面制备聚合物电极。 | ||
| 地址 | 100083 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||