半导体封装体

摘要

一种半导体封装体，挠曲或变形小，且不使制造工艺复杂化的情况下在部件之间形成接合层，并具有良好的气密性。在接合用于构成半导体封装体的部件之间时，通过使用含有98重量%以上的熔点为400℃以上的银等一种金属元素的接合层，在抑制部件挠曲或变形的温度范围内进行接合，接合后得到较高熔点，同时各部件构成为，各接合层的接合面、即各部件的相应面均形成平行的面，从而使各接合层的厚度方向均为相同方向，以使形成接合层时的加压方向与层叠各部件的方向一致。

主权项

一种半导体封装体，其特征在于，具备：平板状基板，其上表面具有用于固定半导体装置的固定区域；陶瓷框体，由平面状的上下两层陶瓷框架构成，在下层陶瓷框架的上表面上形成有布线图案，在上层陶瓷框架中相当于所述布线图案两端的部分，其框架宽度比所述下层陶瓷框架窄，以使所述布线图案的两端露出而用作端子，该陶瓷框体以围住所述固定区域的方式层叠于所述基板的上表面，其一侧的开口面通过第一接合层接合在所述基板的上表面上；金属环，具有与所述陶瓷框体的另一侧开口面处的框体形状相对应的形状，被层叠在所述陶瓷框体的另一侧开口面上，并通过第二接合层接合在该陶瓷框体上；导线，被层叠在所述布线图案上，并通过第三接合层接合在该布线图案上；其中，所述第一接合层、所述第二接合层和所述第三接合层，含有98重量%以上的熔点为400℃以上的一种金属元素。