半导体功率器件的制作方法

摘要

本发明公开了一种半导体功率器件的制作方法，首先提供一半导体基底，其上形成有外延层；于外延层表面形成硬掩膜层，其具有第一开口；再经由第一开口刻蚀外延层，形成第一沟槽；修整硬掩膜层，将第一开口增宽为第二开口，并显露出第一沟槽上缘的转角部位；接着于第一沟槽中填满一掺杂层；再将掺杂层的掺杂物驱入到外延层中，以于第一沟槽内形成掺杂区，包括接近第一沟槽表面的第一区域及较深入外延层的第二区域，再以经过修整后的硬掩膜层作为刻蚀硬掩膜，刻蚀去除全部的掺杂层及至少第一区域内的外延层，形成第二沟槽。

主权项

一种半导体功率器件的制作方法，其特征在于，包含：提供一半导体基底；于所述半导体基底上形成一外延层；于所述外延层表面形成一硬掩膜层；于所述硬掩膜层中形成至少一第一开口；经由所述第一开口刻蚀所述外延层，形成至少一第一沟槽；修整所述硬掩膜层，将所述第一开口增宽为一第二开口，并显露出所述第一沟槽上缘的转角部位；于所述第一沟槽中填满一掺杂层；进行一高温扩散工艺，将所述掺杂层的掺杂物驱入到所述外延层中，如此于所述第一沟槽内形成一掺杂区，所述掺杂区包括接近所述第一沟槽表面的一第一区域以及较深入所述外延层的一第二区域；以及进行一干刻蚀工艺，以经过修整后的所述硬掩膜层作为刻蚀硬掩膜，刻蚀去除全部的所述掺杂层以及至少刻蚀去除所述第一区域内的所述外延层，形成一第二沟槽。