| 发明名称 | GaN单结晶体及其制造方法和半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了GaN单结晶体及其制造方法和半导体器件及其制造方法，由此，当生长GaN单结晶体时以及当生长的GaN单结晶体被加工成基板等形式时，以及当至少单层的半导体层形成在基板形式的GaN单结晶体上以制造半导体器件时，将裂纹控制到最少。GaN晶体团(10)具有纤锌矿晶体结构，并且在30℃下，其弹性常数C<sub>11</sub>为348GPa至365GPa并且其弹性常数C<sub>13</sub>为90GPa至98GPa，或者其弹性常数C<sub>11</sub>为352GPa至362GPa。 | ||
| 申请公布号 | CN101922045B | 申请公布日期 | 2014.10.15 |
| 申请号 | CN201010202934.5 | 申请日期 | 2010.06.10 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 中幡英章;藤原伸介;樱田隆;山本喜之;中畑成二;上村智喜 |
| 分类号 | C30B29/40(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;H01L29/20(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 孙志湧;穆德骏 |
| 主权项 | 一种GaN单结晶体，所述GaN单结晶体具有纤锌矿晶体结构，并且在30℃下，其弹性常数C<sub>11</sub>为348GPa至365GPa并且其弹性常数C<sub>13</sub>为90GPa至98GPa，或者其弹性常数C<sub>11</sub>为352GPa至362GPa。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||