| 发明名称 | 薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法和液晶显示器 | ||
| 摘要 | 本发明的实施例提供一种薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法和液晶显示器，涉及液晶面板制造领域，可以减小薄膜晶体管的厚度。该薄膜晶体管，包括：基板；在基板上形成有栅极；覆盖栅极的栅绝缘层；在栅绝缘层上形成有半导体有源层，像素电极层、源极和漏极；其中，所述像素电极层位于所述源极和漏极下方，与所述源极和漏极相接触；且所述源极及其下方的像素电极层的叠层、漏极及其及下方的像素电极层的叠层位于所述半导体有源层的同一层；所述源极及其下方的像素电极层的叠层、所述漏极及其下方的像素电极层的叠层被所述半导体有源层断开；在所述源极、漏极、像素电极层和半导体有源层上形成有钝化层。本发明的实施例用于液晶显示器制造。 | ||
| 申请公布号 | CN102810558B | 申请公布日期 | 2014.10.15 |
| 申请号 | CN201210279838.X | 申请日期 | 2012.08.07 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 张弥 |
| 分类号 | H01L29/417(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/417(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板；在所述基板上形成有栅极；覆盖所述栅极的栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成有半导体有源层，像素电极层、源极和漏极；其中，所述像素电极层位于所述源极和漏极下方，与所述源极和漏极相接触；且所述源极及其下方的像素电极层的叠层、漏极及其及下方的像素电极层的叠层位于所述半导体有源层的同一层；所述源极及其下方的像素电极层的叠层、所述漏极及其下方的像素电极层的叠层被所述半导体有源层断开；在所述源极、漏极、像素电极层和半导体有源层上形成有钝化层。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||