一种具有谐振腔增强效应栅格阵列型的SOI光电探测器

摘要

本发明公开了一种具有谐振腔增强效应栅格阵列型的SOI光电探测器，已有CMOS光电探测器结构的半导体CMOS工艺限制了器件结构与电学特性的改善。本发明包括p型半导体衬底、埋氧化层、n型掺杂区、p型欧姆接触区、环形地电极、环形电压极、n型欧姆接触区、输出电极、栅格阵列型的PCOMP、顶层氧化层和多晶硅；本发明解决了量子效率和响应度之间因为吸收层厚度的原因而相互制约的问题，使得光电探测器的性能大大提高，应用领域也大大拓宽，减小了光电系统体积、降低系统重量、提高系统性能与可靠性，同时有利于节省资源。

主权项

一种具有谐振腔增强效应栅格阵列型的SOI光电探测器，包括p型半导体衬底、埋氧化层、n型n‑well阱区、p型欧姆接触区、环形地电极、环形电压极、n型欧姆接触区、输出电极、栅格阵列型的PCOMP、顶层氧化层和多晶硅；其特征在于：距离p型半导体衬底表面2 um处设置有埋氧化层，p型半导体衬底上表面设有n型n‑well阱区，环形p型欧姆接触区设置在p型半导体衬底上表面且位于n型n‑well阱区外侧，环形地电极设置在环形p型欧姆接触区上，在环形的n型欧姆接触区设置在p型半导体衬底上表面且位于n型n‑well阱区内侧，环形电压极设置在环形n型欧姆接触区上，在p型半导体衬底上表面且位于环形电压极内侧设置有方阵形的PCOMP ；栅格阵列形的PCOMP上设置网格型的输出电极；在p型半导体衬底1上表面各个电极之间覆盖一层氧化层，在氧化层的表面覆盖一层多晶硅。