反熔丝电路及其编程方法、反熔丝结构

摘要

一种反熔丝电路及其编程方法、反熔丝结构，其中反熔丝结构，包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的PMOS晶体管，所述PMOS晶体管的栅极位于半导体衬底上，所述栅极具有第一部分和位于第一部分两端的第二部分，第二部分的宽度小于第一部分的宽度，PMOS晶体管的源区和漏区位于栅极的第一部分和第二部分两侧的半导体衬底内，其中，在对反熔丝进行编程时，PMOS晶体管的源区和漏区在热载流子穿通效应的作用下发生穿通。所述反熔丝结构在编程后的稳定性较高。

主权项

一种反熔丝电路，其特征在于，包括：PMOS晶体管，所述PMOS晶体管的栅极位于半导体衬底上，所述栅极具有第一部分和位于第一部分两端的第二部分，第二部分的宽度小于第一部分的宽度，PMOS晶体管的源区和漏区位于栅极的第一部分和第二部分两侧的半导体衬底内，PMOS晶体管的栅极与驱动电源端相连，PMOS晶体管的源区与编程电源端相连；NMOS晶体管，NMOS晶体管的栅极与编程控制电源端相连，NMOS晶体管的漏区与PMOS晶体管的漏区相连，NMOS晶体管的源极接地；其中，对反熔丝进行编程时，在编程控制电源端施加编程控制电压，NMOS晶体管导通，在驱动电源端施加驱动电压，PMOS晶体管关断，编程电源端施加编程电压，PMOS晶体管的源区和漏区在热载流子穿通效应的作用下发生穿通。