发明名称 |
使用多个信号路径的传感器自诊断 |
摘要 |
本发明涉及使用多个信号路径的传感器自诊断。实施例涉及用于使用多个信号路径的传感器自诊断的系统和方法。在一个实施例中,传感器是磁场传感器,并且系统和/或方法被配置成满足或者超过相关安全或者其它工业标准,比如SIL标准。例如,在单个半导体芯片上实施的单片集成电路传感器系统可以包括:在半导体芯片上的第一传感器器件,具有用于第一传感器信号的第一信号路径;以及在半导体芯片上的第二传感器器件,具有用于第二传感器信号的第二信号路径,第二信号路径不同于第一信号路径,其中第一信号路径的信号与第二信号路径的信号的比较提供传感器系统自测试。 |
申请公布号 |
CN102419403B |
申请公布日期 |
2014.10.15 |
申请号 |
CN201110285509.1 |
申请日期 |
2011.09.23 |
申请人 |
英飞凌科技股份有限公司 |
发明人 |
F.加斯廷格;W.格拉尼希;D.哈默施密特;M.莫茨;F.拉斯博尼希;B.沙弗 |
分类号 |
G01R31/00(2006.01)I |
主分类号 |
G01R31/00(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
王岳;王洪斌 |
主权项 |
一种单片集成电路传感器系统,包括:在半导体芯片上的第一传感器器件,具有用于第一传感器信号的第一信号路径;以及在所述半导体芯片上的第二传感器器件,具有用于第二传感器信号的第二信号路径,所述第二信号路径不同于所述第一信号路径,其中第一信号路径的信号与第二信号路径的信号的比较提供传感器系统自测试,并且其中所述第一信号路径在与所述第二信号路径比较时具有从由更快、更精确、具有更少噪声和具有不同工作原理组成的组中选择的至少一个特性。 |
地址 |
德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号 |