发明名称 |
发光二极管封装结构的形成方法 |
摘要 |
一种发光二极管封装结构的形成方法,其包括以下步骤:提供一发光二极管封装基板,其相对的上表面和下表面分别形成多条相交的切割线,所述切割线将所述发光二极管封装基板均匀分割成多个单片;在所述切割线的交点处开设贯通所述发光二极管封装基板上表面及下表面的通孔;在所述通孔内壁靠近所述发光二极管封装基板的上表面及下表面的上下两端沿所述切割线分别开设切口;将多个发光二极管晶粒分别设置在所述每个单片上;利用一遮盖板遮盖在所述发光二极管封装基板上,所述遮盖板对应所述每个单片开设有开孔;通过所述遮盖板的开孔在所述每个单片上形成封装层;沿着所述切割线分别剥离下每个单片,从而形成多个发光二极管封装结构。 |
申请公布号 |
CN102447038B |
申请公布日期 |
2014.10.15 |
申请号 |
CN201010503798.3 |
申请日期 |
2010.10.14 |
申请人 |
展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
发明人 |
张超雄;胡必强 |
分类号 |
H01L33/48(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/48(2010.01)I |
代理机构 |
深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 |
代理人 |
叶小勤 |
主权项 |
一种发光二极管封装结构的形成方法,其包括以下几个步骤:提供一发光二极管封装基板,其相对的上表面和下表面分别形成多条相交的切割线,所述切割线将所述发光二极管封装基板均匀分割成多个单片;在所述切割线的交点处开设贯通所述发光二极管封装基板上表面及下表面的通孔;在所述通孔内壁靠近所述发光二极管封装基板的上表面及下表面的上下两端沿所述切割线分别开设切口,所述切口的深度比所述切割线的深度要深;将多个发光二极管晶粒分别设置在所述多个单片上;利用一遮盖板遮盖在所述发光二极管封装基板上,所述遮盖板对应所述多个单片开设有开孔;通过所述遮盖板的开孔在所述多个单片上形成封装层;沿着所述切割线分别剥离下多个单片,从而形成多个发光二极管封装结构。 |
地址 |
518109 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号 |