发明名称 凸块结构及制造工艺
摘要 本发明是有关于一种凸块结构及制造工艺,该凸块结构,其设置于一载板上,其包含有第一高分子块体、第二高分子块体、第一沟槽、凸块下金属层及接合金属层,其中该第一高分子块体及该第二高分子块体为独立的块体,该第一高分子块体具有第一接合槽,该第二高分子块体具有第二接合槽,该凸块下金属层覆盖该第一高分子块体及该第二高分子块体,该凸块下金属层形成有第二沟槽、第三接合槽及第四接合槽,该接合金属层覆盖该凸块下金属层,且该接合金属层形成有第三沟槽、第五接合槽及第六接合槽,其中该第二沟槽位于该第一沟槽与该第三沟槽之间,该第三接合槽位于该第一接合槽与该第五接合槽之间,该第四接合槽位于该第二接合槽与该第六接合槽之间。
申请公布号 CN102790016B 申请公布日期 2014.10.15
申请号 CN201110134729.4 申请日期 2011.05.16
申请人 颀邦科技股份有限公司 发明人 施政宏;郭士祯;陈文童
分类号 H01L23/00(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I 主分类号 H01L23/00(2006.01)I
代理机构 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人 寿宁;张华辉
主权项 一种凸块结构,其特征在于其设置于一载板上,该载板具有多个焊垫及一保护层,该保护层具有多个开口,所述开口显露出所述焊垫,该凸块结构与各该焊垫电性连接,该凸块结构包含有:一第一高分子块体,为一独立的块体,其设置于该焊垫及该保护层上,该第一高分子块体具有一第一上表面及一凹设于该第一上表面的第一接合槽;一第二高分子块体,为一独立的块体,其设置于该焊垫及该保护层上,该第二高分子块体具有一第二上表面及一凹设于该第二上表面的第二接合槽;一第一沟槽,其位于该第一高分子块体及该第二高分子块体之间,该第一沟槽显露出该焊垫,该第一高分子块体的该第一接合槽及该第二高分子块体的该第二接合槽连通该第一沟槽;一凸块下金属层,其覆盖该焊垫、该第一高分子块体及该第二高分子块体,其中该凸块下金属层形成有一第二沟槽、一第三接合槽及一第四接合槽;以及一接合金属层,其覆盖该凸块下金属层,并形成有一第三沟槽、一第五接合槽及一第六接合槽,该第五接合槽及该第六接合槽连通该第三沟槽,其中该凸块下金属层的该第二沟槽位于该第一沟槽与该接合金属层的该第三沟槽之间,该凸块下金属层的该第三接合槽位于该第一高分子块体的该第一接合槽与该接合金属层的该第五接合槽之间,该凸块下金属层的第四接合槽位于该第二高分子块体的该第二接合槽与该接合金属层的该第六接合槽之间。
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