发明名称 |
具有晶片通孔结构的ESD网络电路以及制造方法 |
摘要 |
本发明一般涉及电路结构以及制造电路的方法,尤其涉及具有晶片通孔结构的静电放电(ESD)电路以及制造方法。ESD结构包或ESD有源器件以及至少一个晶片通孔结构,所述至少一个晶片通孔结构为所述ESD有源器件提供到衬底的低串联电阻路径。一种装置包括输入、至少一个供电轨以及被电连接在所述输入与所述至少一个供电轨之间的ESD电路,其中所述ESD电路包括至少一个晶片通孔结构,其提供到衬底的低串联电阻路径。一种方法,包括:在衬底上形成ESD有源器件;在所述衬底的背面上形成地平面;以及形成至少一个晶片通孔,其被电连接到所述ESD有源器件的负电源输入和所述地平面,以提供至所述衬底的低串联电阻路径。 |
申请公布号 |
CN102362349B |
申请公布日期 |
2014.10.15 |
申请号 |
CN201080013247.7 |
申请日期 |
2010.03.15 |
申请人 |
国际商业机器公司 |
发明人 |
S·H·沃尔德曼 |
分类号 |
H01L27/02(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京市中咨律师事务所 11247 |
代理人 |
于静;杨晓光 |
主权项 |
一种静电放电结构,该结构包括:静电放电有源器件;以及至少一个晶片通孔结构,其为所述静电放电有源器件提供到衬底的低串联电阻路径,所述至少一个晶片通孔结构穿过所述衬底,其中所述低串联电阻路径为0.01欧姆至0.1欧姆。 |
地址 |
美国纽约 |