一种MEMS集成化方法

摘要

本发明公开了一种MEMS集成化方法，在基片上先刻蚀出MEMS区域凹槽，在凹槽以外的区域制作CMOS电路，完成除金属互连以外的所有IC工艺；然后淀积IC保护层，在凹槽内采用MEMS表面牺牲层工艺制作MEMS结构；再刻蚀形成IC区域的引线孔，淀积并图形化金属形成金属互连；最后用光刻胶保护凹槽以外的区域，去除牺牲层，释放MEMS可动结构，制得单片集成芯片。本发明采用MEMS-IC-MEMS交叉制作工艺完成MEMS和IC的单片集成，通过凹槽降低了MEMS结构和IC之间的高度差，减小了集成化工艺对光刻的压力，同时通过调整工艺顺序避免了金属脱落，提高了工艺质量和成品率。

主权项

一种MEMS集成化方法，包括以下步骤：1)在基片上采用MEMS工艺光刻定义并刻蚀出MEMS区域凹槽，用于预先减少MEMS区域的台阶；2)在凹槽以外的区域制作CMOS电路，完成除金属互连以外的所有IC工艺；3)淀积IC区域保护层；4)在凹槽内采用MEMS表面牺牲层工艺制作MEMS结构；首先淀积牺牲层并图形化牺牲层，然后将凹槽外的牺牲层全部去除后再淀积结构层并图形化结构层，得到MEMS结构；5)刻蚀形成IC区域的引线孔，淀积并图形化金属形成金属互连；6)用光刻胶保护凹槽以外的区域，去除牺牲层，释放MEMS可动结构；7)去除光刻胶，制得单片集成芯片。