| 发明名称 | 中子探测器和中子探测方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种中子探测器和中子探测方法。中子探测器包括：入射窗和探测阵列；所述探测阵列具有多层叠置的探测单元；所述探测单元包括多条相互平行的方形探测通道，且相邻的所述探测通道相互气体连通，所述探测通道内充有三氟化硼气体；每条所述探测通道内沿轴向布置有阻性阳极丝，所述阻性阳极丝的一端加正高压，用于对中子引起的原初电离信号进行放大并输出放大后的电信号。本发明的中子探测器和中子探测方法可以在提高中子探测效率的同时不降低位置分辨和TOF时间分辨。 | ||
| 申请公布号 | CN104101895A | 申请公布日期 | 2014.10.15 |
| 申请号 | CN201310121642.2 | 申请日期 | 2013.04.09 |
| 申请人 | 中国科学院高能物理研究所 | 发明人 | 孙志嘉;周健荣;陈元柏;王艳凤;许虹;杨桂安;唐彬;杨振 |
| 分类号 | G01T3/00(2006.01)I | 主分类号 | G01T3/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人 | 孟阿妮 |
| 主权项 | 一种中子探测器，其特征在于，包括：入射窗和探测阵列；所述探测阵列具有多层叠置的探测单元；所述探测单元包括多条相互平行的方形探测通道，且相邻的所述探测通道相互气体连通，所述探测通道内充有三氟化硼气体；每条所述探测通道内沿轴向布置有阻性阳极丝，所述阻性阳极丝的一端加正高压，用于对中子引起的原初电离信号进行放大并输出放大后的电信号。 | ||
| 地址 | 100049 北京市石景山区玉泉路19号（乙院） | ||