一种双尺寸碳化硅颗粒混杂增强镁基复合材料的制备方法

摘要

一种双尺寸碳化硅颗粒混杂增强镁基复合材料的制备方法，它涉及一种碳化硅颗粒增强镁基复合材料的制备方法。本发明的目的是要解决现有技术存在碳化硅颗粒和镁合金的相容性不好，导致碳化硅颗粒极易团聚的问题。方法：一、混合得到双尺寸碳化硅颗粒；二、先将双尺寸碳化硅颗粒放入半固态状态的镁基体里，经过搅拌、超声分散和压铸即得到双尺寸碳化硅颗粒混杂增强镁基复合材料。优点：一有效的解决碳化硅颗粒在基体里均匀分散困难的问题，充分发挥颗粒增强效果；二、力学性能显著的增加。本发明主要用于制备双尺寸碳化硅颗粒混杂增强镁基复合材料。

主权项

一种双尺寸碳化硅颗粒混杂增强镁基复合材料的制备方法，其特征在于一种双尺寸碳化硅颗粒混杂增强镁基复合材料的制备方法是按以下步骤完成的：一、混合：首先将纳米尺度碳化硅颗粒和微米尺度的碳化硅颗粒混合均匀，得到双尺寸碳化硅颗粒；二、搅拌、超声波分散：首先在机械搅拌条件下将双尺寸碳化硅颗粒放入半固态状态的镁基体里，加入双尺寸碳化硅颗粒后继续搅拌4min～6min，并升温加热至700℃～720℃，得到混合熔体，然后在超声波辅助下对混合熔体进行超声分散，最后经压铸即得到双尺寸碳化硅颗粒混杂增强镁基复合材料；步骤一中所述的纳米尺度碳化硅颗粒与微米尺度的碳化硅颗粒的体积比为(5～30):1；步骤二中所述的双尺寸碳化硅颗粒与半固态状态的镁基体的的体积比为1:(2～10)；步骤二中所述的半固态状态的镁基体是采用下述操作制备的：将镁合金从室温加热至700℃～720℃，完全融化后以冷却速率为1℃/min～3℃/min冷却到600℃～640℃，即得到半固态状态的镁基体；所述的镁合金为AZ31镁合金和AZ31B镁合金。