发明名称 |
一种具有形状记忆效应的氧化物薄膜材料的制备方法及其应用 |
摘要 |
一种具有形状记忆效应的氧化物薄膜材料的制备方法:利用脉冲激光沉积技术在高品格失配单晶衬底上制备两相共存的BiFe0<sub>3</sub>薄膜;利用聚焦离子束刻蚀技术在上步制得的两相共存的BiFe0<sub>3</sub>薄膜中制备纯相纳米结构。还公开了所述薄膜纳米结构的应用。本发明的效果是利用外延生长技术和聚焦离子束刻蚀手段,成功制备出一种具有巨大形状记忆效应的铁电氧化物材料。电场、温度、应力都可以对此材料的形状记忆应变产生作用,其最大可逆应变高达14%。由于电场也可以实现对此材料的形状记忆效应的调控,使其工作频率高于传统的合金材料,加之这种形状应变是在纳米尺度下实现的,从而使其有可能替代传统的合金材料在小尺寸下的传感、驱动等应用。 |
申请公布号 |
CN104103752A |
申请公布日期 |
2014.10.15 |
申请号 |
CN201310129511.9 |
申请日期 |
2013.04.15 |
申请人 |
北京师范大学 |
发明人 |
张金星;柯小行 |
分类号 |
H01L41/39(2013.01)I;C23C16/515(2006.01)I;C23C16/56(2006.01)I |
主分类号 |
H01L41/39(2013.01)I |
代理机构 |
北京正理专利代理有限公司 11257 |
代理人 |
张文祎 |
主权项 |
一种具有形状记忆效应的氧化物薄膜材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)利用脉冲激光沉积技术在高晶格失配单晶衬底上制备两相共存的BiFe0<sub>3</sub>薄膜;(2)利用聚焦离子束刻蚀技术在上步制得的两相共存的BiFeO<sub>3</sub>薄膜中制备纳米结构。 |
地址 |
100875 北京市海淀区新街口外大街19号 |