| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 半导体装置的制造方法包括：在基板的主面形成具有第1导电型的第1半导体区域的半导体层的工序；以及在半导体层形成底部位于第1半导体区域内的沟槽的工序。该制造方法还包括：通过退火处理使沟槽的上部角部的半导体层的一部分向沟槽的底部上移动，由此形成覆盖沟槽的底部的第2导电型的沟槽底部杂质区域的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN104106142A | 申请公布日期 | 2014.10.15 |
| 申请号 | CN201380008456.6 | 申请日期 | 2013.01.23 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 清泽努;工藤千秋;富田祐贵 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L29/868(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 韩聪 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，包括：在基板的主面形成具有第1导电型的第1半导体区域的半导体层的工序；在所述半导体层形成底部位于所述第1半导体区域内的沟槽的工序；以及通过退火处理，使所述沟槽的上部角部的所述半导体层的一部分向所述沟槽的底部上移动，由此形成覆盖所述沟槽的底部的第2导电型的沟槽底部杂质区域的工序。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||