一种非挥发性存储器单元阵列的写入方法

摘要

一种非挥发性存储器单元阵列的写入方法，此方法优化了阵列的结构，并在执行写入操作时，通过合理的电压配置，保证被选中的存储器单元通过隧穿效应实现对浮栅中电子的移除而降低阈值；而未被选中的存储器单元的栅极和漏极之间不存在足以实现隧穿的电压差而保证存储单元的阈值不变。

主权项

一种非挥发性存储器单元阵列的写入方法。该存储器单元阵列包括：多条字线、多条位线、多条源极线。该存储器单元阵列中的每一列的存储单元的漏极都连接所对应的一条位线；每一行的存储单元的控制栅极都连接所对应的一条字线；每一行的存储单元的源级都连接所对应的一条源极线，允许阵列中的多条源极线互连形成更少量的源极线，允许阵列中的多条源极线全部互连形成一条总源极线；所有存储单元的衬底都连接到地。上述存储器阵列的写入方法包括：在进行写入操作时，同时只能选中一条字线，被选中的存储单元所连接的字线接地，非选中的存储单元所在的字线上施加第一正电压。在需要写入数据“1”的存储单元所在的位线上施加第一正电压(或者浮空)，在需要写入数据“0”的存储单元所在的位线上施加第二正电压。所有源级线设置为浮空(或者第一正电压)。