一种蓝宝石绝缘层上覆硅衬底及其制备方法

摘要

本发明公开一种蓝宝石绝缘层上覆硅衬底，是一种硅-蓝宝石-硅衬底，即顶层为硅主动层，中间层为蓝宝石薄层，底层为硅衬底。制备方法步骤如下：第一步，采用衬底切割技术将抛光蓝宝石薄层均匀切下；第二步，将切下的蓝宝石薄层与硅衬底进行热处理键结；第三步，完成顶层的硅主动层。本发明减少了蓝宝石用量，提高了利用率，从而降低整体的生产成本，但仍保有SOS优异特性。采用硅当作衬底主体时更有以下优点：（1）与现有以硅衬底为主流的IC工艺及设备高度整合，有效增进生产效能；（2）作为高频组件衬底散热能力将影响组件设计与效能，由于硅的热传效率显著优于蓝宝石，硅作为衬底主体将有效改进组件散热效能。

主权项

一种蓝宝石绝缘层上覆硅衬底，其特征在于：是一种硅‑蓝宝石‑硅衬底，即顶层为硅主动层，中间层为蓝宝石薄层，底层为硅衬底。