发明名称 |
半导体组件 |
摘要 |
本实用新型涉及半导体组件。本实用新型要解决的技术问题之一是提供一种堆叠半导体管芯电路和方法来制造半导体组件而不增加半导体组件的占据空间。半导体组件包括安装到支撑结构的多个堆叠的半导体芯片,其中一个半导体芯片具有多个电接触件电耦接到所述支撑结构的导电突片的侧。电连接器将从与具有所述多个电接触件的所述侧相反的侧形成的电接触件电连接到对应导电突片。另一半导体芯片安装到所述电连接器且从这个半导体芯片形成的电接触件电连接到所述支撑结构的对应导电突片。本实用新型可应用于电子器件。本实用新型的有利技术效果之一在于可以提供一种堆叠半导体管芯电路和方法来制造半导体组件而不增加半导体组件的占据空间。 |
申请公布号 |
CN203882995U |
申请公布日期 |
2014.10.15 |
申请号 |
CN201420084871.1 |
申请日期 |
2014.02.27 |
申请人 |
半导体元件工业有限责任公司 |
发明人 |
K·李;M·A·斯坦普莱顿 |
分类号 |
H01L23/538(2006.01)I;H01L25/04(2014.01)I |
主分类号 |
H01L23/538(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
陈华成 |
主权项 |
一种半导体组件,其特征在于,所述半导体组件包括: 第一电导体; 第一半导体芯片,其具有第一主表面和第二主表面,其中所述第一半导体芯片包括在所述第一主表面处的源极接触件和栅极接触件,和在所述第二主表面处的漏极接触件,所述源极接触件电耦接到所述第一电导体; 第二电导体,其具有第一末端和第二末端,所述第二电导体的所述第一末端电耦接到所述第一半导体芯片的所述漏极接触件;和 第二半导体芯片,其具有第一主表面和第二主表面,其中所述第二半导体芯片包括处于所述第二半导体芯片的所述第一主表面的源极接触件,和处于所述第二半导体芯片的所述第二主表面的漏极接触件和栅极接触件,所述第二半导体芯片的所述源极接触件电耦接到所述第二电导体的所述第一末端。 |
地址 |
美国亚利桑那 |