发明名称 晶片切割装置
摘要 本实用新型公开了一种晶片切割装置,下模(2)上设置有落料通孔(3),冲模(1)上设置有与落料通孔(3)相配合的切刀(4)。刀刃(8)的外表面上包覆有一层耐磨层(9),耐磨层(9)为铬铁合金耐磨层。所述落料通孔(3)的下方设置有废料收集装置。本实用新型采用冲压切割方式,结构简单,设计合理,加工成本低;冲模和下模可根据需要做成多行多列,可实现对物料盘上的二极管晶片的批量切割,切割效率高;刀刃的外表面上包覆有一层耐磨层,增强了刀刃的抗磨损性能,增长了切刀的使用寿命;落料通孔的下方设置有废料收集装置,可集中回收切割过程中产生的废料。
申请公布号 CN203882990U 申请公布日期 2014.10.15
申请号 CN201420325178.9 申请日期 2014.06.18
申请人 四川蓝彩电子科技有限公司 发明人 钟锡全
分类号 H01L21/78(2006.01)I 主分类号 H01L21/78(2006.01)I
代理机构 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 代理人 袁英;詹权松
主权项 晶片切割装置,其特征在于:包括冲模(1)和下模(2),下模(2)上设置有至少一对落料通孔(3),落料通孔(3)的位置与晶片引线(7)的位置相匹配,冲模(1)上设置有与落料通孔(3)相配合的切刀(4)。
地址 629000 四川省遂宁市经济开发区兴宁路36号