一种MEMS空腔刻蚀工艺中控制各向同性和各向异性深度的方法

摘要

本发明提供一种MEMS空腔刻蚀工艺中控制各向同性和各向异性深度的方法，其包括将MEMS空腔刻蚀工艺分解成各向异性刻蚀步骤、聚合物淀积步骤、底部聚合物轰击的步骤以及各向同性刻蚀的步骤，对各步骤的气体流量、气体比例、时间进行分析，确定各步骤的时间比例，定义出刻蚀不同CD尺寸时，每步菜单参数的设置，本发明的方法能够在工艺开发之前提供合理的工艺菜单，减少开发时间，而且得到良好的刻蚀形貌。

主权项

一种MEMS空腔刻蚀工艺中控制各向同性和各向异性深度的方法，其包括：步骤1：对硅片进行各向异性刻蚀形成开孔；步骤2：对经过步骤1各向异性刻蚀后的硅片的开孔淀积聚合物，在开孔的侧壁和底部形成保护层；步骤3：对步骤2淀积的聚合物进行轰击，轰击掉开孔底部的淀积聚合物；步骤4：对步骤3轰击掉底部聚合物的开孔进行各向同性刻蚀，形成空腔；其中步骤1与步骤2的时间比例为1：3，步骤2与步骤3的时间比例为3：1，步骤1与步骤4的时间比例通过工艺要求的各向同性和各向异性深度的比例调整。