高压器件

摘要

本发明提供一种高压器件，形成器件的方法。该方法包含设置制备有主动器件区域的衬底。该主动器件区域包含栅极堆叠的栅极堆叠层，该栅极堆叠层于栅极介电层上至少包括有栅极电极层。对应于该栅极的第一掩膜设置于该衬底上。该衬底经图案化，以至少去除部分的未经该第一掩膜保护的顶部栅极堆叠层。第二掩膜亦设置于该衬底上，该第二掩膜具有开口，该开口曝露出一部分该第一掩膜与该顶部栅极堆叠层。沟道井藉由注入离子穿透该开口与栅极堆叠层进入该衬底而形成。

主权项

一种形成器件的方法，包括：设置制备有主动器件区域的衬底，其中，该主动器件区域包含栅极堆叠的栅极堆叠层，该栅极堆叠层至少包括有在栅极介电层上的栅极电极层；在该衬底上设置对应于该栅极的第一掩膜；图案化该衬底，以至少去除部分的未经该第一掩膜保护的顶部栅极堆叠层；在该衬底上设置第二掩膜，该第二掩膜具有开口，该开口曝露出一部分该第一掩膜与该顶部栅极堆叠层；以及注入离子穿透该开口与栅极堆叠层进入该衬底，以形成沟道井，其中，该栅极的第一边缘对应于该器件的该栅极的沟道边缘，而该栅极的第二边缘对应于该器件的该栅极的漏极边缘。